KHẢO SÁT ẢNH HƯỞNG CỦA ĐỒNG PHA TẠP INDIUM, GALLIUM VÀ HYDRO LÊN CẤU TRÚC, TÍNH CHẤT ĐIỆN VÀ TÍNH CHẤT QUANG CỦA MÀNG MỎNG ZnO ĐƯỢC CHẾ TẠO BẰNG PHƯƠNG PHÁP PHÚN XẠ MAGNETRON DC

Tóm tắt

Màng mỏng HIGZO được chế tạo từ bia gốm ZnO đồng pha tạp 3 nguyên tố Ga, In và H trên đế thủy tinh bằng phương pháp phun –xạ magnetron DC, với hàm lượng tạp chất In thay đổi (0.05 - 0.1) at.%, Ga (0.05 - 0.35) at.% và tỉ lệ áp suất khí riêng phần H,/(Ar+H,) từ (0% - 3.5%). Tinh chất điện, cấu trúc tinh thể, đặc biệt là độ linh động điện tử phụ thuộc rất lớn vào hàm lượng pha tạp Ga, In và khi H, sử dụng trong quá trình chế tạo. Kết quả cho thấy màng mỏng thu được từ bia ZnO đồng pha tạp 0.1 at.% Ga và 0.05 at.% In, ở nhiệt độ để 100°C và tỉ lệ khi H{(H,+Ar) = 3.5% (HIZO) cho kết quả tốt nhất. Độ linh động điện tử thu được đạt 50 cm/Vs, cao hơn nhiều so với màng IGZO ở các tỉ lệ pha tạp khác và so với màng IZO khi chưa pha tạp khi H,. Điện trở suất và điện trở mặt của màng với độ dày 1000 nm lần lượt là p = 4.4x104 9cm và Ry = 4.3 2/n, độ truyền qua trung bình trong khoảng bước sóng 400 - 1100 nm là 81%.